VeTek Semiconductor er en førende producent af tantalcarbidbelagt dæksel og innovator i Kina. Vi har været specialiseret i TaC og SiC belægning i mange år. Vores produkter har en korrosionsbestandighed, høj styrke. Vi ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina.
Find et stort udvalg af tantalkarbidbelagt dæksel fra Kina hos VeTek Semiconductor. Giv professionel eftersalgsservice og den rigtige pris, og ser frem til samarbejdet. Tantalcarbide Coated Cover udviklet af VeTek Semiconductor er et tilbehør, der er specielt designet til AIXTRON G10 MOCVD-systemet, med det formål at optimere effektiviteten og forbedre halvlederproduktionskvaliteten. Den er omhyggeligt udformet ved hjælp af materialer af høj kvalitet og fremstillet med den største præcision, hvilket sikrer enestående ydeevne og pålidelighed for metal-organiske kemiske dampaflejringsprocesser (MOCVD).
Konstrueret med et grafitsubstrat belagt med kemisk dampaflejring (CVD) tantalcarbid (TaC), tilbyder tantalcarbidbelagt dæksel enestående termisk stabilitet, høj renhed og modstandsdygtighed over for forhøjede temperaturer. Denne unikke kombination af materialer giver en pålidelig løsning til de krævende driftsforhold for MOCVD-systemet.
Det tantalcarbidcoatede dæksel kan tilpasses til forskellige halvlederwaferstørrelser, hvilket gør det velegnet til forskellige produktionskrav. Dens robuste konstruktion er specielt udviklet til at modstå det udfordrende MOCVD-miljø, hvilket sikrer langvarig ydeevne og minimerer nedetid og vedligeholdelsesomkostninger forbundet med wafer-bærere og susceptorer.
Ved at inkorporere TaC-dækslet i AIXTRON G10 MOCVD-systemet kan halvlederproducenter opnå højere effektivitet og overlegne resultater. Den exceptionelle termiske stabilitet, kompatibilitet med forskellige waferstørrelser og pålidelige ydeevne af Planetary Disk gør den til et uundværligt værktøj til at optimere produktionseffektiviteten og opnå fremragende resultater i MOCVD-processen.
Fysiske egenskaber ved TaC-belægning | |
Tæthed | 14,3 (g/cm³) |
Specifik emissionsevne | 0.3 |
Termisk udvidelseskoefficient | 6,3 10-6/K |
Hårdhed (HK) | 2000 HK |
Modstand | 1×10-5Ohm*cm |
Termisk stabilitet | <2500℃ |
Grafitstørrelsen ændres | -10~-20um |
Belægningstykkelse | ≥20um typisk værdi (35um±10um) |