TaC belagt ring til SiC epitaksial reaktor

VeTek Semiconductor er en førende producent og teknologiinnovator af TaC Coated Ring for SiC Epitaxial Reactor i Kina, med fokus på at levere højtydende løsninger til SiC epitaksiale reaktorer. Vi har mange års erfaring med TaC coating teknologi. TaC Coated Ring har karakteristika af høj renhed, høj stabilitet, fremragende korrosionsbestandighed osv., og kan give langsigtet stabil ydeevne i det barske arbejdsmiljø i epitaksiale reaktorer. Vi ser frem til at etablere et langsigtet strategisk partnerskab med dig.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Produktintroduktion af den TaC-coatede ring til SiC epitaksialreaktor

VeTek Semiconductor er en berømt virksomhed baseret i Kina, kendt for sin ekspertise i fremstilling af højkvalitets TaC- og SiC-belægninger, såvel som en højrent TaC-coated ring til SiC Epitaxial Reactor. Vi sætter en ære i at tilbyde overlegne produkter til konkurrencedygtige priser. Vi inviterer dig varmt til at kontakte os og opdage de enestående løsninger, vi leverer.

Vores TaC-coatede ringe til SiC epitaksiale reaktorer spiller en afgørende rolle. Disse ringe er en integreret del af vores halvmånesæt og tilbyder essentielle funktioner såsom underlagsstøtte, præcis temperaturkontrol, effektiv varmeisolering, effektiv ventilation og pålidelig beskyttelse. Ved at arbejde harmonisk sikrer disse ringe omhyggelig kontrol over tykkelsen, dopingen og defektegenskaberne af SiC-epitaksiallaget, der dyrkes i reaktionskammeret.

Ud over vores enestående TaC-coatede ringe tilbyder VeTek Semiconductor et omfattende udvalg af relaterede produkter specielt designet til reaktionskamre. Vores produktsortiment inkluderer øvre og nedre halvmåner, beskyttelsesdæksler, isoleringsdæksler og procesluftafledningsgrænseflader. Hver af disse komponenter gennemgår en omhyggelig SiC- eller TaC-belægning for at forbedre ydeevnen og forlænge deres levetid.

Produktparameter for den TaC-coatede ring til SiC epitaksialreaktor

Fysiske egenskaber ved TaC-belægning
Tæthed	14,3 (g/cm³)
Specifik emissionsevne	0.3
Termisk udvidelseskoefficient	6,3×10^-6/K
Hårdhed (HK)	2000 HK
Modstand	1×10^-5Ohm*cm
Termisk stabilitet	<2500℃
Grafitstørrelsen ændres	-10~-20um
Belægningstykkelse	≥20um typisk værdi (35um±10um)