Kina UV LED Susceptor producent, leverandør, fabrik

VeTek Semiconductor er en producent med speciale i UV LED Susceptorer, har mange års forskning og udvikling og produktionserfaring i LED EPI susceptorer og er blevet anerkendt af mange kunder i branchen.

LED, det vil sige halvleder lysemitterende diode, den fysiske karakter af dens luminescens er, at efter at halvleder pn junction er aktiveret, under drevet af elektrisk potentiale, kombineres elektroner og huller i halvledermaterialet for at generere fotoner, således at opnå halvlederluminescens. Derfor er epitaksial teknologi et af grundlaget og kernen i LED, og ​​det er også den vigtigste afgørende faktor for LED's elektriske og optiske egenskaber.

Epitaksi (EPI) teknologi refererer til væksten af ​​et enkelt krystal materiale på et enkelt krystal substrat med samme gitter arrangement som substratet. Grundprincip: På et substrat opvarmet til den passende temperatur (hovedsageligt safirsubstrat, SiC-substrat og Si-substrat) styres de gasformige stoffer indium (In), gallium (Ga), aluminium (Al), fosfor (P) til overfladen af substratet for at dyrke en specifik enkeltkrystalfilm. På nuværende tidspunkt bruger vækstteknologien for LED-epitaksialplade hovedsageligt metoden MOCVD (organisk metalkemisk meteorologisk aflejring).

LED epitaksielt substratmateriale

1. Rød og gul LED:

GaP og GaAs er almindeligt anvendte substrater til røde og gule lysdioder. GaP-substrater bruges i væskefaseepitaksi (LPE) metode, hvilket resulterer i et bredt bølgelængdeområde på 565-700 nm. Til gasfase-epitaksi (VPE)-metoden dyrkes GaAsP-epitaksiale lag, hvilket giver bølgelængder mellem 630-650 nm. Ved anvendelse af MOCVD anvendes GaAs-substrater typisk med væksten af ​​AlInGaP-epitaksiale strukturer. Dette hjælper med at overvinde lysabsorptionsulemperne ved GaAs-substrater, selvom det introducerer gittermismatch, hvilket kræver bufferlag til dyrkning af InGaP- og AlGaInP-strukturer.

VeTek Semiconductor leverer LED EPI-susceptor med SiC-belægning, TaC-belægning:

VEECO rød og gul LED EPI Susceptor TaC belægning brugt i LED EPI susceptor

2. blå og grøn LED:

GaN-substrat: GaN-enkeltkrystal er det ideelle substrat til GaN-vækst, hvilket forbedrer krystalkvalitet, spånlevetid, lyseffektivitet og strømtæthed. Dens vanskelige forberedelse begrænser imidlertid dens anvendelse.

Safirsubstrat: Safir (Al2O3) er det mest almindelige substrat for GaN-vækst, der tilbyder god kemisk stabilitet og ingen synlig lysabsorption. Det står imidlertid over for udfordringer med utilstrækkelig varmeledningsevne ved højstrømsdrift af strømchips.

SiC-substrat: SiC er et andet substrat, der bruges til GaN-vækst, på andenpladsen i markedsandel. Det giver god kemisk stabilitet, elektrisk ledningsevne, termisk ledningsevne og ingen synlig lysabsorption. Det har dog højere priser og lavere kvalitet sammenlignet med safir. SiC er ikke egnet til UV-LED'er under 380 nm. SiC's fremragende elektriske og termiske ledningsevne eliminerer behovet for flip-chip-binding til varmeafledning i strøm-type GaN LED'er på safirsubstrater. Den øvre og nedre elektrodestruktur er effektiv til varmeafledning i strømtype GaN LED-enheder.

AMEC blå og grøn LED EPI susceptor MOCVD Susceptor med TaC Coating

3. Dyb UV LED EPI:

I dyb ultraviolet (DUV) LED-epitaksi, dyb UV LED eller DUV LED-epitaksi omfatter almindeligt anvendte kemiske materialer som substrater aluminiumnitrid (AlN), siliciumcarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN). Disse materialer har god varmeledningsevne, elektrisk isolering og krystalkvalitet, hvilket gør dem velegnede til DUV LED-applikationer i miljøer med høj effekt og høje temperaturer. Valget af underlagsmateriale afhænger af faktorer som anvendelseskrav, fremstillingsprocesser og omkostningsovervejelser.

SiC Coated Dyb UV LED Susceptor TaC Coated Dyb UV LED Susceptor