Kina Silicium epitaksi producent, leverandør, fabrik

Siliciumepitaxi, EPI,Epitaksi,Epitaksial henviser til væksten af et lag af krystal med samme krystalretning og forskellig krystaltykkelse på et enkelt krystallinsk siliciumsubstrat. Epitaksial vækstteknologi er påkrævet til fremstilling af halvlederdiskrete komponenter og integrerede kredsløb, fordi urenhederne indeholdt i halvledere inkluderer N-type og P-type. Gennem en kombination af forskellige typer udviser halvlederenheder en række funktioner.

Silicium-epitaksi-vækstmetode kan opdeles i gasfase-epitaksi, væskefase-epitaksi (LPE), fastfase-epitaksi, kemisk dampaflejringsvækstmetode er meget udbredt i verden for at opfylde gitterintegriteten.

Typisk silicium epitaksielt udstyr er repræsenteret af det italienske firma LPE, som har pandekage epitaksial hy pnotisk tor, tønde type hy pnotisk tor, halvleder hy pnotisk, wafer carrier og så videre. Det skematiske diagram af det tøndeformede epitaksiale hy-pelector-reaktionskammer er som følger. VeTek Semiconductor kan levere tøndeformet wafer epitaksial hy pelector. Kvaliteten af SiC coated HY pelector er meget moden. Kvalitet svarende til SGL; Samtidig kan VeTek Semiconductor også levere silicium epitaksial reaktionshulrum kvartsdyse, kvarts Baffle, klokkeglas og andre komplette produkter.

Vertial epitaksial Suceptor for silicium epitaksi:

Silicium epitaksial Suceptor Wafer Susceptor af tøndetype Halvledermodtager SiC belagt Susceptor

Horisontal epitaksial suceptor for silicium epitaksi:

Hvis den epitaksiale modtager Pandekagetager SiC-belagt susceptor

View as

SiC belægning Monokrystallinsk silicium epitaksial bakke

SiC belægning Monokrystallinsk silicium epitaksial bakke er et vigtigt tilbehør til monokrystallinsk silicium epitaksial vækstovn, hvilket sikrer minimal forurening og stabilt epitaksial vækstmiljø. VeTek Semiconductors SiC-belægning Monokrystallinsk silicium-epitaksialbakke har en ultralang levetid og giver en række tilpasningsmuligheder. VeTek Semiconductor ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina.

Læs mere Send forespørgsel

CVD SiC belægning tønde susceptor

VeTek Semiconductor CVD SiC belægning tønde susceptor er kernekomponenten i den tønde type epitaksial ovn.Ved hjælp af CVD SiC belægning tønde susceptor, er mængden og kvaliteten af epitaksial vækst stærkt forbedret.VeTek Semiconductor er en professionel producent og leverandør af SiC Coated Barrel Susceptor, og er på det førende niveau i Kina og endda i verden.VeTek Semiconductor ser frem til at etablere et tæt samarbejde med dig i halvlederindustrien.

Læs mere Send forespørgsel

Grafit roterende modtager

Roterende susceptor af høj renhed af grafit spiller en vigtig rolle i den epitaksielle vækst af galliumnitrid (MOCVD-proces). VeTek Semiconductor er en førende grafit roterende susceptor producent og leverandør i Kina. Vi har udviklet mange højrente grafitprodukter baseret på højrente grafitmaterialer, som fuldt ud opfylder kravene fra halvlederindustrien. VeTek Semiconductor ser frem til at blive din partner i Rotating Graphite susceptor.

Læs mere Send forespørgsel

CVD SiC Pandekage Susceptor

Som en førende producent og innovator af CVD SiC Pancake Susceptor-produkter i Kina. VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor, som en skiveformet komponent designet til halvlederudstyr, er et nøgleelement til at understøtte tynde halvlederwafere under epitaksial aflejring ved høj temperatur. VeTek Semiconductor er forpligtet til at levere højkvalitets SiC Pancake Susceptor-produkter og blive din langsigtede partner i Kina til konkurrencedygtige priser.

Læs mere Send forespørgsel

CVD SiC Coated Barrel Susceptor

VeTek Semiconductor er en førende producent og innovator af CVD SiC Coated Barrel Susceptor i Kina. Vores CVD SiC Coated Barrel Susceptor spiller en nøglerolle i at fremme den epitaksiale vækst af halvledermaterialer på wafere med dens fremragende produktegenskaber. Velkommen til din videre konsultation.

Læs mere Send forespørgsel

EPI-modtager

VeTek Semiconductors EPI-susceptor er designet til krævende epitaksialudstyrsapplikationer. Dens højrent siliciumcarbid (SiC) belagt grafitstruktur tilbyder fremragende varmebestandighed, ensartet termisk ensartethed for ensartet epitaksial lagtykkelse og modstand og langvarig kemisk resistens. Vi ser frem til at samarbejde med dig.

Læs mere Send forespørgsel

<1 2 3 >

Som en professionel Silicium epitaksi producent og leverandør i Kina har vi vores egen fabrik. Uanset om du har brug for tilpassede tjenester for at imødekomme de specifikke behov i din region eller ønsker at købe avanceret og holdbar Silicium epitaksi fremstillet i Kina, kan du efterlade os en besked.