Porøst tantalcarbid

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) er et højtydende keramisk materiale, der kombinerer egenskaberne af tantal og kulstof. Dens porøse struktur er meget velegnet til specifikke applikationer i høje temperaturer og ekstreme miljøer. TaC kombinerer fremragende hårdhed, termisk stabilitet og kemisk resistens, hvilket gør det til et ideelt materialevalg i halvlederbehandling.

Porøst tantalcarbid (TaC) er sammensat af tantal (Ta) og kulstof (C), hvori tantal danner en stærk kemisk binding med kulstofatomer, hvilket giver materialet ekstrem høj holdbarhed og slidstyrke. Den porøse struktur af porøs TaC skabes under fremstillingsprocessen af ​​materialet, og porøsiteten kan styres i henhold til specifikke anvendelsesbehov. Dette produkt er normalt fremstillet afkemisk dampaflejring (CVD)metode, der sikrer præcis kontrol af dens porestørrelse og fordeling.

Molekylær struktur af tantalcarbid

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) har følgende produktegenskaber

●  Porøsitet: Den porøse struktur giver den forskellige funktioner i specifikke anvendelsesscenarier, herunder gasdiffusion, filtrering eller kontrolleret varmeafledning.

●  Højt smeltepunkt: Tantalcarbid har et ekstremt højt smeltepunkt på omkring 3.880°C, hvilket er velegnet til ekstremt høje temperaturer.

●  Fremragende hårdhed: Porøs TaC har en ekstrem høj hårdhed på omkring 9-10 i Mohs hårdhedsskala, svarende til diamant. , og kan modstå mekanisk slid under ekstreme forhold.

●  Termisk stabilitet: Tantalcarbide (TaC)-materiale kan forblive stabilt i højtemperaturmiljøer og har stærk termisk stabilitet, hvilket sikrer ensartet ydeevne i højtemperaturmiljøer.

●  Høj varmeledningsevne: På trods af sin porøsitet bevarer porøs tantalcarbid stadig god varmeledningsevne, hvilket sikrer effektiv varmeoverførsel.

●  Lav termisk udvidelseskoefficient: Den lave termiske udvidelseskoefficient for tantalcarbid (TaC) hjælper materialet med at forblive formstabilt under betydelige temperaturudsving og reducerer virkningen af ​​termisk stress.

Fysiske egenskaber ved TaC-belægning

I halvlederfremstilling spiller porøst tantalcarbid (TaC) følgende specifikke nøglerolles

I højtemperaturprocesser som f.eksplasma ætsningog CVD, VeTek halvleder porøs tantalcarbid bruges ofte som en beskyttende belægning til forarbejdningsudstyr. Dette skyldes den stærke korrosionsbestandighed afTaC belægningog dens stabilitet ved høje temperaturer. Disse egenskaber sikrer, at den effektivt beskytter overflader, der udsættes for reaktive gasser eller ekstreme temperaturer, og sikrer derved den normale reaktion ved højtemperaturprocesser.

I diffusionsprocesser kan porøst tantalcarbid fungere som en effektiv diffusionsbarriere for at forhindre sammenblanding af materialer i højtemperaturprocesser. Denne funktion bruges ofte til at kontrollere diffusionen af ​​dopingstoffer i processer såsom ionimplantation og renhedskontrol af halvlederwafere.

Den porøse struktur af VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide er meget velegnet til halvlederbehandlingsmiljøer, der kræver præcis gasstrømskontrol eller filtrering. I denne proces spiller porøs TaC hovedsageligt rollen som gasfiltrering og distribution. Dens kemiske inerthed sikrer, at der ikke indføres forurenende stoffer under filtreringsprocessen. Dette garanterer effektivt renheden af ​​det forarbejdede produkt.

Tantalcarbid (TaC) belægning på et mikroskopisk tværsnit