VeTek Semiconductor præsenterer TaC Coating Susceptor, Med sin exceptionelle TaC coating tilbyder denne susceptor en lang række fordele, der adskiller den fra konventionelle løsninger. TaC Coating Susceptoren integreres problemfrit i eksisterende systemer og garanterer kompatibilitet og effektiv drift. Dens pålidelige ydeevne og højkvalitets TaC-belægning leverer konsekvent exceptionelle resultater i SiC-epitaksiprocesser. Vi er forpligtet til at levere kvalitetsprodukter til konkurrencedygtige priser og ser frem til at være din langsigtede partner i Kina.
VeTek Semiconductors TaC-belagte susceptor og ring arbejder sammen i LPE-siliciumcarbid-epitaksial vækstreaktoren:
Højtemperaturmodstand: TaC-belægningssusceptoren har fremragende højtemperaturmodstand, der er i stand til at modstå de ekstreme temperaturer op til 1500°C i LPE-reaktoren. Dette sikrer, at udstyret og komponenterne ikke deformeres eller bliver beskadiget under langvarig drift.
Kemisk stabilitet: TaC-belægningssusceptoren fungerer exceptionelt godt i det korrosive siliciumcarbidvækstmiljø, og beskytter effektivt reaktorkomponenterne mod korrosive kemiske angreb og forlænger derved deres levetid.
Termisk stabilitet: TaC-belægningssusceptoren har god termisk stabilitet, opretholder overflademorfologien og ruheden for at sikre ensartetheden af temperaturfeltet i reaktoren, hvilket er gavnligt for højkvalitetsvæksten af siliciumcarbid-epitaksiale lag.
Anti-kontaminering: Den glatte TaC-coatede overflade og overlegne TPD (Temperature Programmed Desorption) ydeevne kan minimere akkumulering og adsorption af partikler og urenheder inde i reaktoren, hvilket forhindrer kontaminering af de epitaksiale lag.
Sammenfattende spiller den TaC-belagte susceptor og ring en kritisk beskyttende rolle i LPE-siliciumcarbid-epitaksialvækstreaktoren, hvilket sikrer den langsigtede stabile drift af udstyret og højkvalitetsvæksten af de epitaksiale lag.
Physical properties of TaC coating | |
Tæthed | 14.3 (g/cm³) |
Specifik emissionsevne | 0.3 |
Termisk udvidelseskoefficient | 6,3 10-6/K |
Hårdhed (HK) | 2000 HK |
Modstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Termisk stabilitet | <2500℃ |
Grafitstørrelsen ændres | -10~-20um |
Belægningstykkelse | ≥20um typisk værdi (35um±10um) |