> Nyheder

Nyheder

Hvad er forskellen mellem epitaksi og ALD?

Hovedforskellen mellem epitaksi og atomlagaflejring (ALD) ligger i deres filmvækstmekanismer og driftsbetingelser. Epitaksi refererer til processen med at dyrke en krystallinsk tynd film på et krystallinsk substrat med et specifikt orienteringsforhold, der opretholder den samme eller lignende krysta......

Læs mere

Hvad er CVD TAC Coating?

CVD TAC belægning er en proces til at danne en tæt og holdbar belægning på et underlag (grafit). Denne metode involverer aflejring af TaC på substratoverfladen ved høje temperaturer, hvilket resulterer i en tantalcarbid (TaC) belægning med fremragende termisk stabilitet og kemisk resistens.

Læs mere

Rul op! To store producenter er ved at masseproducere 8-tommer siliciumcarbid

Efterhånden som 8-tommer siliciumcarbid (SiC)-processen modnes, accelererer producenter skiftet fra 6-tommer til 8-tommer. For nylig annoncerede ON Semiconductor og Resonac opdateringer om 8-tommer SiC-produktion.

Læs mere

Italiens LPE's 200 mm SiC epitaksiale teknologi fremskridt

Denne artikel introducerer den seneste udvikling i den nydesignede PE1O8 varmvæg CVD-reaktor fra det italienske firma LPE og dens evne til at udføre ensartet 4H-SiC-epitaksi på 200 mm SiC.

Læs mere

Termisk feltdesign til SiC-enkeltkrystalvækst

Med den stigende efterspørgsel efter SiC-materialer inden for kraftelektronik, optoelektronik og andre områder, vil udviklingen af SiC-enkeltkrystalvækstteknologi blive et nøgleområde for videnskabelig og teknologisk innovation. Som kernen i SiC-enkeltkrystalvækstudstyr vil termisk feltdesign fort......

Læs mere

Chipfremstilling: Et procesflow af MOSFET

Chipfremstillingsprocessen omfatter fotolitografi, ætsning, diffusion, tynd film, ionimplantation, kemisk mekanisk polering, rengøring osv. Denne artikel forklarer groft, hvordan disse processer integreres i rækkefølge for at fremstille en MOSFET.

Læs mere

<...5 6 7 8 9...10 >