> Nyheder

Nyheder

Kinesiske virksomheder udvikler angiveligt 5nm-chips med Broadcom!

Ifølge oversøiske nyheder afslørede to kilder den 24. juni, at ByteDance samarbejder med det amerikanske chipdesignfirma Broadcom om at udvikle en avanceret kunstig intelligens (AI) computerprocessor, som vil hjælpe ByteDance med at sikre en tilstrækkelig forsyning af high-end chips midt i spændinge......

Læs mere

Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-tommer SiC-chips forventes at blive sat i produktion i december!

Som en førende producent i SiC-industrien har Sanan Optoelectronics' relaterede dynamik fået bred opmærksomhed i branchen. For nylig afslørede Sanan Optoelectronics en række seneste udviklinger, der involverer 8-tommer transformation, ny substratfabriksproduktion, etablering af nye virksomheder, sta......

Læs mere

Anvendelse af TaC-belagte grafitdele i enkeltkrystalovne

I væksten af SiC- og AlN-enkeltkrystaller ved hjælp af den fysiske damptransportmetode (PVT) spiller afgørende komponenter såsom diglen, frøholderen og guideringen en afgørende rolle. Som afbildet i figur 2 [1] er frøkrystallen under PVT-processen placeret i det lavere temperaturområde, mens SiC-r......

Læs mere

Forskellige tekniske ruter for SiC epitaksial vækstovn

Siliciumcarbidsubstrater har mange defekter og kan ikke behandles direkte. En specifik enkelt krystal tynd film skal dyrkes på dem gennem en epitaksial proces for at lave chip wafers. Denne tynde film er det epitaksiale lag. Næsten alle siliciumcarbidenheder er realiseret på epitaksiale materialer. ......

Læs mere

Materiale af siliciumcarbid epitaksi

Materialet af siliciumcarbid epitaksialt lag er siliciumcarbid, som normalt bruges til at fremstille højeffekt elektroniske enheder og LED'er. Det er meget udbredt i halvlederindustrien på grund af dets fremragende termiske stabilitet, mekaniske styrke og høje elektriske ledningsevne.

Læs mere

Karakteristika for siliciumepitaxi

Høj renhed: Silicium-epitaksiallaget dyrket ved kemisk dampaflejring (CVD) har ekstrem høj renhed, bedre overfladeflade og lavere defekttæthed end traditionelle wafers.

Læs mere

<...6 7 8 9 10 >