Hjem > Produkter > Tantalcarbid belægning > SiC epitaksiproces > CVD TaC Coating Wafer Carrier
CVD TaC Coating Wafer Carrier
  • CVD TaC Coating Wafer CarrierCVD TaC Coating Wafer Carrier

CVD TaC Coating Wafer Carrier

Som en professionel CVD TaC Coating Wafer Carrier produktproducent og fabrik i Kina, er VeTek Semiconductor CVD TaC Coating Wafer Carrier et waferbærende værktøj specielt designet til høje temperaturer og korrosive miljøer i halvlederfremstilling. og CVD TaC Coating Wafer Carrier har høj mekanisk styrke, fremragende korrosionsbestandighed og termisk stabilitet, hvilket giver den nødvendige garanti for fremstilling af højkvalitets halvlederenheder. Dine yderligere henvendelser er velkomne.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Under halvlederfremstillingsprocessen, VeTek Semiconductor'sCVD TaC Coating Wafer Carrierer en bakke, der bruges til at bære wafers. Dette produkt anvender en kemisk dampaflejringsproces (CVD) til at coate et lag af TaC Coating på overfladen afWafer Carrier substrat. Denne belægning kan forbedre waferbærerens oxidations- og korrosionsbestandighed betydeligt, samtidig med at partikelforurening reduceres under forarbejdningen. Det er en vigtig komponent i halvlederbehandling.


VeTek SemiconductorsCVD TaC Coating Wafer Carrierer sammensat af et substrat og entantalcarbid (TaC) belægning.


Tykkelsen af ​​tantalcarbid-belægninger er typisk i området 30 mikron, og TaC har et smeltepunkt så højt som 3.880°C, mens det blandt andet giver fremragende korrosions- og slidbestandighed.


Carriers basismateriale er lavet af højrent grafit elsiliciumcarbid (SiC), og derefter coates et lag af TaC (Knoop hårdhed op til 2000HK) på overfladen gennem en CVD-proces for at forbedre dens korrosionsbestandighed og mekaniske styrke.


VeTek Semiconductors CVD TaC Coating Wafer Carrier normaltspiller følgende roller under waferbæreprocessen:


●  Wafer isætning og fiksering: Knoop-hårdheden af ​​tantalcarbid er så høj som 2000HK, hvilket effektivt kan sikre den stabile støtte af waferen i reaktionskammeret. Kombineret med den gode termiske ledningsevne af TaC (den termiske ledningsevne er ca. 21 W/mK), kan det gøre Waferoverfladen opvarmes jævnt og opretholder en ensartet temperaturfordeling, hvilket hjælper med at opnå ensartet vækst af det epitaksiale lag.


●  Reducer partikelforurening: Den glatte overflade og høje hårdhed af CVD TaC-belægninger hjælper med at reducere friktionen mellem bæreren og waferen og reducerer derved risikoen for partikelkontamination, hvilket er nøglen til fremstilling af højkvalitets halvlederenheder.


●  Stabilitet ved høje temperaturer: Under halvlederbehandling er de faktiske driftstemperaturer typisk mellem 1.200°C og 1.600°C, og TaC-belægninger har et smeltepunkt så højt som 3.880°C. Kombineret med dens lave termiske udvidelseskoefficient (den termiske udvidelseskoefficient er ca. 6,3 × 10⁻⁶/°C), kan bæreren bevare sin mekaniske styrke og dimensionsstabilitet under høje temperaturforhold, hvilket forhindrer waferen i at revne eller spændingsdeformation under forarbejdning.


Tantalcarbid (TaC) belægning på et mikroskopisk tværsnit:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4



Grundlæggende fysiske egenskaber af CVD TaC belægning


Fysiske egenskaber ved TaC-belægning
TaC belægning Densitet
14,3 (g/cm³)
Specifik emissionsevne
0.3
Termisk udvidelseskoefficient
6,3*10-6/K
TaC coating hårdhed (HK)
2000 HK
Modstand
1×10-5Ohm*cm
Termisk stabilitet
<2500℃
Grafitstørrelsen ændres
-10~-20um
Belægningstykkelse
≥20um typisk værdi (35um±10um)

VeTek SemiconductorCVD TaC Coating Wafer Carrier produktionsbutikker:


Graphite epitaxial substrateSemiconductor EquipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment



Hot Tags: CVD TaC Coating Wafer Carrier, Kina, producent, leverandør, fabrik, tilpasset, køb, avanceret, holdbar, fremstillet i Kina
Relateret kategori
Send forespørgsel
Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept