TaC Coated Graphite Wafer Carrier

VeTek Semiconductor har omhyggeligt designet TaC Coated Graphite Wafer Carrier til kunder. Den er sammensat af højrent grafit og TaC-belægning, som er velegnet til forskellige wafer epitaksial waferbehandling. Vi har været specialiseret i SiC og TaC coating i mange år. Sammenlignet med SiC-belægning har vores TaC-belagte grafitwafer-bærer en højere temperaturbestandighed og slidstærk. Vi ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Du kan være sikker på at købe tilpasset TaC Coated Graphite Wafer Carrier fra VeTek Semiconductor. Vi ser frem til at samarbejde med dig, hvis du vil vide mere, kan du kontakte os nu, vi vil svare dig i tide!

VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier interagerer direkte med wafers i epitaksereaktoren, hvilket forbedrer effektiviteten og ydeevnen. Med mulighed for siliciumcarbid eller tantalcarbid-coating tilbyder VeTek Semiconductor TaC Coated Graphite Wafer Carrier forlænget levetid, op til 2-3 gange længere med tantalcarbid. Kompatibel med forskellige maskinmodeller, herunder LPE SiC epitaksovne, JSG, NASO epitaksiale ovne.

VeTek Semiconductor TaC-belagt grafitbærer sikrer præcis reaktionsstøkiometri, forhindrer migration af urenheder og opretholder temperaturstabilitet over 2000°C. Det udviser bemærkelsesværdig modstandsdygtighed over for H2, NH3, SiH4 og Si, hvilket beskytter mod barske kemiske miljøer. Modstår termiske stød muliggør den hurtige driftscyklusser uden belægningsdelaminering.

VeTek Semiconductor TaC-belægning garanterer ultrahøj renhed, eliminerer urenheder og sikrer ensartet dækning, der opfylder strenge dimensionelle tolerancer. Med VeTek Semiconductors avancerede grafitbehandlingsfunktioner er vi udstyret til at imødekomme dine tilpasningsbehov. Uanset om du har brug for belægningstjenester eller omfattende løsninger, er vores team af eksperter klar til at designe den perfekte løsning til dine specifikke applikationer. Stol på, at vi leverer produkter af høj kvalitet, der er skræddersyet til dine krav og forventninger.

PVT-metoden SiC krystalvækst:

PVT method SiC Crystal Growth

Produktparameter for TaC Coated Graphite Wafer Carrier

Fysiske egenskaber ved TaC-belægning
Tæthed	14,3 (g/cm³)
Specifik emissionsevne	0.3
Termisk udvidelseskoefficient	6,3 10^-6/K
Hårdhed (HK)	2000 HK
Modstand	1×10^-5Ohm*cm
Termisk stabilitet	<2500℃
Grafitstørrelsen ændres	-10~-20um
Belægningstykkelse	≥20um typisk værdi (35um±10um)