Solid SiC Gas Brusehoved spiller en stor rolle i at gøre gassen ensartet i CVD-processen og sikrer derved ensartet opvarmning af substratet. VeTek Semiconductor har været dybt involveret i området for solid SiC-enheder i mange år og er i stand til at give kunderne skræddersyede Solid SiC-gasbrusehoveder. Uanset hvad dine krav er, ser vi frem til din henvendelse.
VeTek Semiconductor er en integreret virksomhed dedikeret til forskning, produktion og salg. VeTek Semiconductor har arbejdet på halvlederepitaksi, ætsning og andre procesrelaterede produkter i mange år, især CVD SiC-belægning, CVD TaC-belægning og CVD Solid SiC er vores flagskibsprodukter.
VeTek Semiconductor Solid SiC-gasbrusehoved bruges almindeligvis til at fordele forstadiegasser jævnt på substratoverfladen under halvleder-CVD-processer. Brug af CVD-SiC-materiale til brusehoveder giver flere fordele. Dens høje termiske ledningsevne hjælper med at sprede varme genereret i CVD-processen, hvilket sikrer ensartet temperaturfordeling på underlaget. Derudover gør CVD sic brusehovedets kemiske stabilitet det i stand til at modstå ætsende gasser og barske miljøer, der almindeligvis forekommer i CVD-processer.
Designet af CVD SiC brusehoveder kan skræddersyes til specifikke CVD-systemer og proceskrav. De består dog typisk af en plade- eller skiveformet komponent med en række præcisionsborede huller eller slidser. Hulmønsteret og geometrien er omhyggeligt designet til at sikre ensartet gasfordeling og strømningshastighed over substratoverfladen.
Fysiske egenskaber af fast SiC | |||
Tæthed | 3.21 | g/cm3 | |
Elektricitetsresistivitet | 102 | Ω/cm | |
Bøjestyrke | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
Youngs modul | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Vickers hårdhed | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
C.T.E. (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Termisk ledningsevne (RT) | 250 | W/mK |