Disc-modtager

Vetek Semiconductor's Graphite Disc Susceptor, et højtydende produkt til avancerede halvlederfremstillingsprocesser. Vores grafitdisksusceptor er designet til at imødekomme industriens krævende krav og give enestående ydeevne og pålidelighed.

Denne Graphite Disc Susceptor er OEM til AIX G5 planetreaktorplatform.

GaN-on-Si MOCVD bruges til LED-epitaksial produktion, og Aixtron G5-reaktoren forbedrer udbyttet og ensartetheden af ​​MOCVD-platformen. Et fuldt roteret symmetrisk ensartet mønster på fem 200 mm wafere, ved hjælp af et standardtykkelse siliciumsubstrat og styring af waferbøjningsadfærd formaliserede, hvad de havde brug for til siliciumfremstilling.

Vetek Semiconductors High-Purity Graphite Disc Susceptor til GaN-on-Si MOCVD, en pålidelig og omkostningseffektiv løsning til avancerede halvlederfremstillingsprocesser.

Vores højrente grafitdisksusceptor er specielt designet til at opfylde kravene til GaN-on-Si MOCVD-processer. Med sin exceptionelle termiske stabilitet og varmebestandighed kan den modstå de krævende temperaturforhold, der typisk spænder fra 800°C til 1100°C, hvilket sikrer optimal ydeevne under aflejringsprocessen.

Det højrente grafitmateriale, der bruges i vores disc susceptor, giver fremragende kemisk resistens, hvilket gør det kompatibelt med ammoniak (NH3) og organiske metalprækursorer, der almindeligvis anvendes i GaN-on-Si MOCVD. Dette eliminerer behovet for yderligere SiC-belægninger, hvilket reducerer produktionsomkostningerne uden at gå på kompromis med ydeevnen.

Vetek Semiconductors høj-renhed grafit disc susceptor tilbyder en omkostningseffektiv løsning uden at gå på kompromis med kvaliteten. Dens pålidelighed, holdbarhed og kompatibilitet med GaN-on-Si MOCVD-processer gør den til det foretrukne valg for halvlederproducenter. Stol på Vetek Semiconductor for at levere højtydende grafitdisksusceptorer til dine GaN-on-Si MOCVD-produktionsbehov.

Produktionsbutikker:

Oversigt over halvlederchip-epitaksi-industrikæden: