- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheder
Diamant - den fremtidige stjerne af halvledere
Diamond, en potentiel fjerde generation af "ultimate halvleder", vinder opmærksomhed i halvledersubstrater på grund af dens exceptionelle hårdhed, termiske ledningsevne og elektriske egenskaber. Mens dens høje omkostninger og produktionsudfordringer begrænser brugen, er CVD den foretrukne metode. På......
Læs mere
Hvad er forskellen mellem siliciumcarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN) applikationer? - VeTek Semiconductor
SiC og GaN er halvledere med bred båndgab med fordele i forhold til silicium, såsom højere gennembrudsspændinger, hurtigere koblingshastigheder og overlegen effektivitet. SiC er bedre til applikationer med høj spænding og høj effekt på grund af dens højere termiske ledningsevne, mens GaN udmærker si......
Læs mere
Principper og teknologi for fysisk dampaflejring (PVD) belægning (2/2) - VeTek Semiconductor
Elektronstrålefordampning er en yderst effektiv og meget brugt belægningsmetode sammenlignet med modstandsopvarmning, som opvarmer fordampningsmaterialet med en elektronstråle, hvilket får det til at fordampe og kondensere til en tynd film.
Læs mere
Principper og teknologi for fysisk dampaflejringsbelægning (1/2) - VeTek Semiconductor
Vakuumbelægning omfatter fordampning af filmmateriale, vakuumtransport og vækst af tynd film. Ifølge de forskellige filmmateriale fordampningsmetoder og transportprocesser kan vakuumbelægning opdeles i to kategorier: PVD og CVD.
Læs mere
