ALD Atomic Layer Deposition Opskrift

Rumlig ALD, rumligt isoleret atomlagsaflejring. Waferen bevæger sig mellem forskellige positioner og udsættes for forskellige prækursorer ved hver position. Nedenstående figur er en sammenligning mellem traditionel ALD og rumligt isoleret ALD.

Tidsmæssig ALD,tidsmæssigt isoleret atomlagsaflejring. Vaflen fikseres, og prækursorerne indføres og fjernes skiftevis i kammeret. Denne metode kan behandle waferen i et mere afbalanceret miljø og derved forbedre resultaterne, såsom bedre kontrol over rækken af ​​kritiske dimensioner. Nedenstående figur er et skematisk diagram af Temporal ALD.

Stopventil, luk ventil. Bruges almindeligvis i，opskrifter, bruges til at lukke ventilen til vakuumpumpen, eller åbne stopventilen til vakuumpumpen.

Forløber, forstadie. To eller flere, der hver indeholder elementerne i den ønskede aflejrede film, adsorberes skiftevis på substratoverfladen, med kun en precursor ad gangen, uafhængig af hinanden. Hver precursor mætter substratoverfladen for at danne et monolag. Forløberen kan ses på nedenstående figur.

Rensning, også kendt som oprensning. Fælles rensegas, rensegas.Atomisk lagaflejring is a method of depositing thin films in atomic layers by sequentially placing two or more reactants into a reaction chamber for forming a thin film through the decomposition and adsorption of each reactant. That is, the first reaction gas is supplied in a pulsed manner to chemically deposit inside the chamber, and the physically bonded residual first reaction gas is removed by purging. Then, the second reaction gas also forms a chemical bond with the first reaction gas in part through the pulse and purge process, thereby depositing the desired film on the substrate. Purge can be seen in the figure below.

Cyklus. I atomlagsdepositionsprocessen kaldes tiden for hver reaktionsgas, der skal pulseres og renses én gang, en cyklus.

Atomlags epitaksi.En anden betegnelse for atomlagsaflejring.

Trimethylaluminium, forkortet som TMA, trimethylaluminium. Ved atomlagsaflejring bruges TMA ofte som en forløber til dannelse af Al2O3. Normalt danner TMA og H2O Al2O3. Derudover danner TMA og O3 Al2O3. Nedenstående figur er et skematisk diagram af Al2O3-atomlagaflejring ved brug af TMA og H2O som forstadier.

3-aminopropyltriethoxysilan, omtalt som APTES, 3-aminopropyltrimethoxysilan. Iatomlag aflejring, APTES bruges ofte som en forløber for at danne SiO2. Normalt danner APTES, O3 og H2O SiO2. Nedenstående figur er et skematisk diagram af APTES.