Aixtron G5 MOCVD Susceptorer

VeTek Semiconductor er en førende Aixtron G5 MOCVD Susceptors producent og innovator i Kina. Vi har været specialiseret i SiC-belægningsmateriale i mange år. Dette Aixtron G5 MOCVD Susceptors-sæt er en alsidig og effektiv løsning til halvlederfremstilling med dens optimale størrelse, kompatibilitet og høje produktivitet. Velkommen til at spørge os.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Som den professionelle producent vil VeTek Semiconductor gerne give dig Aixtron G5 MOCVD Susceptorer som Axtron Epitaksi, SiC belagtgrafit dele og TaC belagtgrafit dele. Velkommen til at forespørge os.

Aixtron G5 er et deponeringssystem til sammensatte halvledere. AIX G5 MOCVD bruger en produktionskundebevist AIXTRON planetreaktorplatform med et fuldt automatiseret patron (C2C) waferoverførselssystem. Opnåede branchens største enkelt hulrumsstørrelse (8 x 6 tommer) og største produktionskapacitet. Den tilbyder fleksible 6 - og 4-tommers konfigurationer designet til at minimere produktionsomkostningerne og samtidig opretholde fremragende produktkvalitet. Det varmevægge planetariske CVD-system er kendetegnet ved væksten af flere plader i en enkelt ovn, og outputeffektiviteten er høj.

VeTek Semiconductor tilbyder et komplet sæt tilbehør til Aixtron G5 MOCVD Susceptor-systemet, som består af disse tilbehør:

Trykstykke, Anti-rotation	Fordelingsring	Loft	Holder, Loft, Isoleret	Dækplade, Udvendig
Dækplade, Indvendig	Dækring	disk	Pulldown Cover disk	Stift
Stift-skive	Planetskive	Samlerindløbsringgab	Udstødningssamler øvre	Lukker
Støttering	Støtterør

Aixtron G5 MOCVD Susceptor

CVD SiC film krystalstruktur:

CVD SIC FILM CRASTAL STRUCTURE

Grundlæggende fysiske egenskaber af CVD SiC belægning:

Grundlæggende fysiske egenskaber af CVD SiC belægning
Ejendom	Typisk værdi
Krystal struktur	FCC β-fase polykrystallinsk, hovedsageligt (111) orienteret
Tæthed	3,21 g/cm³
Hårdhed	2500 Vickers hårdhed（500g belastning）
Kornstørrelse	2~10μm
Kemisk renhed	99,99995 %
Varmekapacitet	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimeringstemperatur	2700 ℃
Bøjestyrke	415 MPa RT 4-punkt
Youngs modul	430 Gpa 4pt bøjning, 1300℃
Termisk ledningsevne	300W·m^-1·K^-1
Termisk ekspansion (CTE)	4,5×10^-6·K^-1